Революционная оперативная память UltraRAM

Инженеры из Ланкастерского университета (Великобритания) сообщили о крупном успехе в создании принципиального нового вида памяти для вычислительных систем. Она получила название UltraRAM и представляет собой комбинацию ОЗУ и энергонезависимого накопителя данных. Пока что технология относится к экспериментальным, но ее потенциал просто поражает.

Строго говоря, объединить оперативную и постоянную память пытаются уже давно – и не безуспешно – однако из-за дороговизны и сложности такие разработки не получают коммерческого применения. Можно вспомнить Optane от Intel, Z-NAND от Samsung, XL-FLASH от Kioxia и Western Digital. Главное преимущество такого устройства в том, что данные в нем передаются не по внешним шинам между отдельными модулями, а прямо внутри единого чипа, что существенно ускоряет вычисления.

У UltraRAM много заявленных преимуществ. Во-первых, здесь применяются скоростные оптоэлектронные технологии, однако реализованы они на подложках из кремния, которые на несколько порядков дешевле аналогов из арсенида галлия. Во-вторых, для переключения ячеек применяется принцип резонансного туннелирования из квантовой механики, который невероятно энергоэффективен в сравнении со всеми существующими вариантами.

Как следствие, UltraRAM обеспечивает до 10 млн циклов перезаписи данных, может проработать до 1000 лет без деградации структуры и при этом потребляет ничтожно мало энергии. Правда, пока остается немало вопросов об организации такой памяти, ее реальном объеме относительно размеров чипа, и потенциальной стоимости